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GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters
SFH 415 SFH 416
Cathode 29 27 9.0 8.2
spacing 2.54mm
0.4 0.8
1.8 1.2
7.8 7.5
5.9 5.5
0.4 0.6
Area not flat Chip position Approx. weight 0.2 g
GEO06645
0.6 0.4
2.54 mm spacing
0.8 0.4
Area not flat 6.9 6.1 5.7 5.5
5.9 5.5
o5.1 o4.8
Approx. weight 0.4 g
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q GaAs-IR-Lumineszenzdioden, hergestellt q q q q q
Features
q GaAs infrared emitting diodes, fabricated in q q q q q
im Schmelzepitaxieverfahren Gute Linearitat (Ie = f [IF]) bei hohen Stromen Sehr hoher Wirkungsgrad Hohe Zuverlassigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit SFH 415: Gehausegleich mit SFH 300, SFH 203
a liquid phase epitaxy process Good linearity (Ie = f [IF]) at high currents High efficiency High reliability High pulse handling capability SFH 415: Same package as SFH 300, SFH 203
Anwendungen q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Rundfunkgeraten, Videorecordern, Lichtdimmern q Geratefernsteuerungen
Applications q IR remote control of hi-fi and TV-sets, video tape recorders, dimmers q Remote control of various equipment
Semiconductor Group
1
1997-11-01
fex06630
1.8 1.2 29.5 27.5 Cathode (Diode) Collector (Transistor)
4.0 3.4 Chip position
0.6 0.4
GEX06630
fexf6626
4.8 4.2
o4.8 o5.1
0.6 0.4
SFH 415 SFH 416
Typ Type SFH 415 SFH 415-T SFH 415-U SFH 416-R
Bestellnummer Ordering Code Q62702-P296 Q62702-P1136 Q62702-P1137 Q62702-P1139
Gehause Package 5-mm-LED-Gehause (T 13/4), schwarz eingefarbt, Anschlu im 2.54-mm-Raster (1/10''), Kathodenkennzeichnung: kurzerer Anschlu 5 mm LED package (T 13/4), black-colored epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10''), cathode marking: short lead
Grenzwerte (TA = 25 C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlastrom Forward current Stostrom, tp = 10 s, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Warmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol Wert Value - 55 ... + 100 100 5 100 3 165 450 Einheit Unit C C V mA A mW K/W
Top; Tstg Tj VR IF IFSM Ptot RthJA
Semiconductor Group
2
1997-11-01
SFH 415 SFH 416
Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlange der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 100 m A Abstrahlwinkel Half angle SFH 415 SFH 416 Aktive Chipflache Active chip area Abmessungen der aktive Chipflache Dimension of the active chip area Abstand Chipoberflache bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top SFH 415 SFH 416 Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Kapazitat Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Durchlaspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 s Sperrstrom Reverse current VR = 5 V Gesamtstrahlungsflu Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Symbol Symbol peak Wert Value 950 Einheit Unit nm
55
nm

17 28 0.09 0.3 x 0.3
Grad deg. mm2 mm
A LxB LxW
H H tr, tf
4.2 ... 4.8 3.4 ... 4.0 0.5
mm mm s
Co
25
pF
VF VF IR
1.3 ( 1.5) 2.3 ( 2.8) 0.01 ( 1)
V V A
e
22
mW
Semiconductor Group
3
1997-11-01
SFH 415 SFH 416
Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Description Temperaturkoeffizient von Ie bzw. e, IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or e, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von , IF = 100 mA Temperature coefficient of , IF = 100 mA Symbol Symbol Wert Value - 0.5 Einheit Unit %/K
TCI
TCV TC
-2 + 0.3
mV/K nm/K
Gruppierung der Strahlstarke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel = 0.01 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of = 0.01 sr Bezeichnung Description Symbol Symbol SFH 415 Strahlstarke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Strahlstarke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 s SFH 415-T Werte Values SFH 415-U SFH 416-R Einheit Unit
Ie min Ie max
25 -
25 50
> 40 -
> 10 -
mW/sr mW/sr
Ie typ.
-
380
600
150
mW/sr
Semiconductor Group
4
1997-11-01
SFH 415 SFH 416
Relative spectral emission Irel = f ()
100 %
OHRD1938
Radiant intensity
Ie = f (IF) Ie 100 mA
OHR01551
Single pulse, tp = 20 s
e e 100 mA 10 2 A
Max. permissible forward current IF = f (TA)
120
OHR00883
F mA
100
rel
80
10
1
80
60
R thjA = 450 K/W
10 0
60
40
40
10 -1
20
20
0 880
920
960
1000
nm
1060
10 -2 10 -3
10 -2
10 -1
10 0 A F
10 1
0
0
20
40
60
80
100 C 120 TA
Forward current IF = f (VF), single pulse, tp = 20 s
10 1 A
OHR01554
Radiation characteristics SFH 415 Irel = f ()
40 30 20 10 0 1.0
OHR01552
F
10
0
50 0.8 60
0.6
10 -1
70 0.4
80
0.2
10 -2
90
10 -3 1 2 3 4 V 5
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
VF
Radiation characteristics SFH 416 Irel = f ()
40 30 20 10 0 1.0
OHR01553
Permissible pulse handling capability IF = f (), TC = 25 C, duty cycle D = parameter
10 4
OHR00860
50
F mA 5
D = 0.005
0.01
tp D= tp T T
F
0.8 60
0.6
0.02 10 3 0.1 0.2 0.05
70
0.4
80 90
0.2 0
5
0.5
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
DC 10 2 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2 tp
Semiconductor Group
5
1997-11-01

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